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您正在设计一款需要高效、可靠功率开关的电源或电机驱动方案吗？STI21NM60ND正是为您而来的解决方案。这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和17A的连续电流能力，其核心优势在于极低的导通电阻（仅220毫欧@10V），能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

同时，其优化的栅极电荷和输入电容特性，让开关过程更加迅速高效，进一步降低开关损耗。无论是用于提升开关电源的功率密度，还是增强电机驱动的响应速度与可靠性，它都能让您轻松应对。高达150°C的结温和出色的散热封装设计，确保了它在严苛环境下的持久稳定，是您构建高效、坚固电力转换系统的理想基石。

• 型号:STI21NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI21NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。