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还在为高压开关电源的效率和温升问题烦恼吗？让STI20N65M5来为您分忧！这颗采用先进MDmesh V技术的650V/18A N沟道MOSFET，核心使命就是让您的设计更高效、更可靠。它极低的导通电阻能大幅减少功率损耗，而优化的动态参数则确保了快速平滑的开关，助您轻松提升系统能效并降低电磁干扰。

无论是工业电源、电机驱动还是光伏逆变器，STI20N65M5都能凭借其高达130W的功率处理能力和宽广的工作温度范围，成为您系统中坚不可摧的功率开关。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能核心，让复杂的高压功率转换变得简单而高效。

• 型号:STI20N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1434 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI20N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。