我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STI20N60M2-EP现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能显著提升电源效率和系统可靠性的高压开关管吗？STI20N60M2-EP正是您的理想解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh M2-EP系列的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和13A电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（Rds(on)），能大幅降低导通损耗，让您的电源设计更高效、更凉爽。

它集成了快速开关特性与出色的鲁棒性，轻松应对电机驱动、电源转换等应用中的高压高频挑战。TO-220封装和宽广的工作温度范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能心脏。

• 制造商产品型号：STI20N60M2-EP
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh M2-EP
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：278 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：21.7nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：787pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• STI20N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。