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还在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效与可靠的功率开关吗？STI14NM50N正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有500V的坚固耐压和12A的强大电流通过能力，其核心的MDmesh II技术，让它在导通时阻抗极低（仅320毫欧@10V），显著减少能量损耗，直接帮助您提升系统整体效率，并有效控制发热。

它能让您的电源转换、电机控制等应用运行得更冷静、更持久。优异的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，让您的设计在动态响应和电磁干扰（EMI）控制上更具优势。无论是应对工业环境的严酷考验，还是满足对稳定性有苛刻要求的连续作业，STI14NM50N都能以卓越的性能，成为您电路中值得信赖的基石，助您轻松构建高效、稳健的电力核心。

• 型号:STI14NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 500V 12A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI14NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。