我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STI12NM50N现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗能扛起高功率、高效率重任的开关管而烦恼吗？STI12NM50N正是为您而来的解决方案。它基于ST意法半导体成熟的MDmesh II技术，集500V高耐压与11A大电流能力于一身，让您在设计电源、电机驱动等高压应用时信心十足。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效表现。极低的导通电阻（仅380毫欧）意味着更小的导通损耗，而优化的栅极电荷则显著降低了开关损耗。这两者结合，能直接帮助您提升系统整体效率，减少热量产生，从而让您的产品运行更凉爽、更稳定。其坚固的I2PAK封装也确保了出色的功率耗散能力。

选择STI12NM50N，就是选择了一个久经考验的高性能平台。它能简化您的热管理设计，提升产品可靠性，最终让您轻松打造出在市场上更具竞争力的高效能电力电子设备。

• 型号:STI12NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI12NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。