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面对高压、高功率的应用挑战，您需要一颗既能扛住压力，又能高效工作的“心脏”。STI11NM80正是为此而来。这颗N沟道功率MOSFET拥有800V的惊人耐压和11A的强劲电流能力，基于ST先进的MDmesh技术打造，它能轻松胜任开关电源、电机控制等严苛任务。

它的核心魅力在于极致的高效。仅400毫欧的超低导通电阻，让电流通过时的损耗大幅降低，直接为您节省能源，减少发热。同时，优化的动态参数让开关过程又快又干净，帮助您简化驱动设计，并有效控制电磁干扰。选择STI11NM80，就是为您的系统注入一颗强劲、可靠且高效的动力核心，让复杂的设计变得简单，让性能表现更加卓越。

• 制造商产品型号：STI11NM80
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：800V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：400 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：43.6nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1630pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
• 工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAK（TO-262）
• STI11NM80，ST（意法半导体）产品一站式供应商。