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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STH52N10LF3-2AG正是您的理想之选。这颗N沟道功率MOSFET基于意法半导体先进的STripFET F3技术打造，拥有100V的漏源电压和高达52A的连续电流处理能力，让您在设计大功率转换电路时底气十足。

它的最大魅力在于极低的导通电阻（仅20毫欧@10V），能显著降低传导损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。同时，优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速、高效的开关性能，让您轻松实现更高频率的电源设计，从而缩小磁性元件尺寸，提升功率密度。无论是服务器电源、工业电机驱动还是新能源车载系统，选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。

• 制造商产品型号：STH52N10LF3-2AG
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F3
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：52A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 26A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18.5nC @ 5V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1900pF @ 400V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：H2Pak-2
• STH52N10LF3-2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。