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您正在设计需要处理大功率、追求极致效率的电路吗？STH410N4F7-2AG正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有40V的耐压和高达200A的电流承载能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻（仅1.1毫欧），能大幅降低开关过程中的功率损耗，直接为您带来更低的发热、更高的系统能效和更长的运行时间。

它采用先进的STripFET F7技术，具备极低的栅极电荷和输入电容，让您的驱动电路设计更轻松，实现更快、更高效的开关速度。无论是用于电机驱动、电源转换还是电池管理系统，它都能让您的设备运行得更强劲、更冷静。其符合汽车级AEC-Q101标准，并采用H2PAK-2封装，确保了在严苛环境下的卓越可靠性和出色的散热性能，助您轻松打造出更具市场竞争力的高性能产品。

• 型号:STH410N4F7-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:141 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:365W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH410N4F7-2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。