我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STH400N4F6-2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要处理数百安培电流的汽车级电源或电机驱动方案吗？STH400N4F6-2正是为您而来的强大引擎。这颗N沟道MOSFET拥有40V的漏源电压和高达180A的连续电流承载能力，其核心价值在于惊人的高效能仅1.15毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更节能。

它采用先进的STripFET VI和DeepGATE技术，结合H2PAK-2封装，不仅提供了优异的散热性能，更能实现快速、干净的开关动作，让您轻松优化电磁兼容性（EMI）。无论是用于48V混动系统的DC-DC转换、电动助力转向，还是其他严苛的汽车电子应用，它都能在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定工作，提供汽车级（AEC-Q101）的可靠保障。选择它，就是为您的产品选择了强劲、高效且值得信赖的动力核心。

• 型号:STH400N4F6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:404 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:20500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH400N4F6-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。