我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STH275N8F7-6AG现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起高电流、低损耗重任的功率开关吗？STH275N8F7-6AG正是为您而来。这颗采用先进STripFET F7技术的N沟道MOSFET，拥有80V耐压和高达180A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的2.1毫欧导通电阻。这意味着在您的大功率应用中，它能显著减少导通损耗，让电能转换更高效，系统发热更少，从而轻松提升整体能效和可靠性。

它专为汽车级（AEC-Q101）和高要求工业环境打造，宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）确保其在各种严苛条件下稳定运行。优化的栅极电荷和电容特性，让您能够实现更快的开关速度，为设计高频、高功率密度的电源转换器（如车载充电器、电机驱动、DC-DC模块）铺平道路。选择它，就是为您的产品选择了强劲的心脏和持久的耐力。

• 型号:STH275N8F7-6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:193 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH275N8F7-6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。