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还在为高功率应用中的效率瓶颈和散热挑战寻找答案吗？STH270N8F7-6 N沟道功率MOSFET就是为您而来的解决方案。它基于ST先进的STripFET VII技术，拥有80V的耐压和高达180A的连续电流承载能力，而其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值仅2.1毫欧），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片采用优化的DeepGATE工艺和HPAK封装，不仅提供了出色的热性能，更能让您轻松实现高功率密度设计。其优异的开关特性（低栅极电荷）简化了驱动电路设计，帮助您提升系统开关频率，从而缩小外围电感、电容的尺寸。无论是用于服务器电源、光伏逆变器，还是电动工具和汽车应用，STH270N8F7-6都能让您以更少的能耗和更紧凑的空间，释放出更强大的功率性能。

• 型号:STH270N8F7-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:193 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH270N8F7-6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。