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您正在寻找一颗能扛起高电流重任、同时保持冷静高效的功率开关吗？STH185N10F3-6正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和高达180A的连续电流处理能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻仅4.5毫欧。这意味着在您的大电流应用（如电机驱动、电源转换）中，它能大幅降低导通损耗，直接将更多的电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量，让您的系统效率轻松跃升。

不仅如此，它源自意法半导体成熟的STripFET F3技术与汽车级（AEC-Q101）品质标准，确保了在恶劣环境下的卓越可靠性与稳定性。优化的栅极电荷设计让开关速度更快，损耗更低，助您构建响应迅速、运行安静的功率电路。选择它，就是为您的产品选择了强劲的心脏与持久的耐力。

• 型号:STH185N10F3-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6665 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH185N10F3-6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。