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还在为寻找一颗能同时驾驭大电流与高效率的功率开关而烦恼吗？STH180N4F6-2就是您理想的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，专为严苛的功率应用设计，其核心使命就是让您的系统运行得更冷静、更强劲。

它拥有120A的连续电流处理能力和低至2.4毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，将更多电能用于有效工作。搭配H2PAK-2封装出色的散热特性，让您在设计高功率密度电源、电机驱动或电池管理系统时，可以更加游刃有余，轻松实现系统的小型化与高效化。

• 型号:STH180N4F6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7735 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH180N4F6-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。