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还在为功率转换效率的瓶颈而困扰吗？让STH180N10F3-2为您开启高效节能的新篇章。这颗N沟道MOSFET是您实现大电流、低损耗控制的得力助手，其仅4.5毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通状态下的能量浪费，让您的电源或电机驱动系统运行得更“冷静”，整体能效轻松跃升。

它专为严苛应用而生，100V的耐压和180A的电流处理能力，让您在设计大功率工业设备、高端服务器电源或新能源车载充电器时底气十足。优化的开关特性帮助您实现更快的频率响应，同时其坚固的H2PAK-2封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种环境下都能稳定可靠地工作，极大提升了您最终产品的耐用性和市场竞争力。

• 型号:STH180N10F3-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6665 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH180N10F3-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。