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还在为电源系统的效率瓶颈而烦恼吗？STH140N6F7-6 N沟道MOSFET就是您突破极限的利器。它基于意法半导体成熟的STripFET技术，拥有惊人的80A连续电流承载能力和低至3.2毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的设备运行更凉爽、更高效。

这颗芯片专为 demanding 应用设计，其快速的开关特性（栅极电荷仅55nC）和优异的散热封装（H2PAK-6），让您能轻松构建高功率密度、高可靠性的开关电源或电机驱动方案。无论是提升现有产品能效，还是开发下一代高性能电源，它都能为您提供坚实的核心动力支持。

• 型号:STH140N6F7-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:158W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH140N6F7-6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。