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您正在寻找一颗能扛起高电流重任、同时保持超低损耗的功率开关吗？STH130N10F3-2正是您的理想之选。它基于ST先进的STripFET III技术打造，拥有100V/120A的强悍规格，其核心价值在于能将导通电阻（Rds(on)）控制在极低的9.3毫欧（@10V, 60A），这意味着它能大幅减少导通状态下的功率损耗，直接为您提升整个电源系统的效率，并有效缓解散热压力。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的高功率DC-DC转换器、电机驱动或电源逆变器运行得更凉爽、更高效。优化的栅极电荷设计确保了快速干净的开关性能，帮助您降低开关损耗，轻松实现更高频率的设计。其坚固的H2PAK-2封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C TJ），则赋予了它卓越的可靠性，让您的产品即使在严苛环境中也能稳定持久地工作。

• 型号:STH130N10F3-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.3 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH130N10F3-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。