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还在寻找那颗能同时兼顾高效能与高可靠性的功率开关吗？STGYA120M65DF2AG就是您的理想答案。这颗来自ST意法半导体的650V/160A沟槽场截止型IGBT，凭借仅2.15V的低导通压降和优异的开关特性，能显著降低系统能耗与发热，让您的电机驱动、太阳能逆变器或电源设备运行得更冷静、更高效。

它拥有高达625W的功率处理能力和360A的脉冲电流能力，面对突发的负载冲击也能从容应对。其快速的开关速度（开启延迟仅66ns）与优化的反向恢复时间，让您轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，降低整体系统成本。选择它，就是为您的核心设备注入一颗强劲而可靠的“心脏”。

• 型号:STGYA120M65DF2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 160A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:160 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，120A
• 功率 - 最大值:625 W
• 开关能量:1.8mJ（导通），4.41mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:420 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:66ns/185ns
• 测试条件:400V，120A，4.7 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):202 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:MAX247
• STGYA120M65DF2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。