STGY40NC60VD（ST 意法半导体，晶体管 - UGBT、MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：STGY40NC60VD

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 600V 80A 260W MAX247

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：PowerMESH?

零件状态：有源

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：80A

电流-集电极脉冲(Icm)：-

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，40A

功率-最大值：260W

开关能量：330μJ（开），720μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：214nC

25°C时Td（开/关）值：43ns/140ns

测试条件：390V，40A，3.3 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：44ns

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-247-3

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基本参数：

电子零件型号：STGY40NC60VD

原始制造厂商：ST（意法半导体）

技术标准参数：IGBT 600V 80A 260W MAX247

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

点击此处查询STGY40NC60VD的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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