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还在为寻找一颗能兼顾高效率与高可靠性的功率开关而烦恼吗？STGWT80H65FB正是您的理想解决方案。这颗650V/120A的IGBT，采用先进的沟槽型场截止技术，能为您大幅降低导通与开关损耗，其2V的低饱和压降和优化的开关能量，让您的电机驱动、光伏逆变器或UPS系统运行得更凉爽、更高效。

它拥有高达469W的功率处理能力和240A的脉冲电流承受力，确保系统在面对重载或冲击时稳如泰山。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）则让它无惧各种严苛环境挑战。选择它，就是选择让您的产品在性能与可靠性上脱颖而出，轻松实现更卓越的能效表现。

• 型号:STGWT80H65FB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
• 功率 - 最大值:469 W
• 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:414 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
• 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT80H65FB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。