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您是否希望为您的工业电机、UPS或新能源系统找到一颗动力澎湃且高效节能的“心脏”？STGWT60H65FB正是您期待的答案。这颗650V/80A的沟槽场截止IGBT，能轻松承载高达240A的脉冲电流，其低至2.3V的导通压降，能显著减少能量损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它不仅仅力量强大，动作更是敏捷。超低的开关能量与快速的开关速度，让您能够设计出频率更高、响应更快的电源与驱动方案，有效提升功率密度。同时，其坚固的TO-3P封装和宽广的工作温度范围，确保它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作，大幅提升您终端产品的耐用性与竞争力。

• 型号:STGWT60H65FB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:1.09mJ（导通），626J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:306 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns
• 测试条件:400V，60A，5 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT60H65FB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。