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还在寻找那颗能同时兼顾高效、强健与易用的功率开关核心吗？STGWT40V60DF正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的600V/80A IGBT，采用先进的沟槽型场截止技术，能为您显著降低导通与开关损耗，轻松提升整机效率。其高达160A的脉冲电流能力和283W的功率等级，让您的设计从容应对电机驱动、UPS等应用中的浪涌电流和持续功率挑战。

它不仅仅参数亮眼，更注重实际使用的便捷与可靠。优化的开关特性（低栅极电荷226nC，快速反向恢复41ns）让您的驱动电路设计更简单，系统响应更迅捷。同时，坚固的TO-3P封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了它在各种严苛环境下都能稳定运行，极大延长了产品寿命。选择STGWT40V60DF，就是选择了一个让您事半功倍、高效可靠的动力核心。

• 型号:STGWT40V60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:283 W
• 开关能量:456J（导通），411J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:226 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns
• 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):41 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT40V60DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。