STGWT40H65FB（ST 意法半导体，晶体管 - UGBT、MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：STGWT40H65FB

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：停产

IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：650V

电流-集电极(Ic)（最大值）：80A

电流-集电极脉冲(Icm)：160A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，40A

功率-最大值：283W

开关能量：498mJ（开），363mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：210nC

25°C时Td（开/关）值：40ns/142ns

测试条件：400V，40A，5 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-3P-3，SC-65-3

STGWT40H65FB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：STGWT40H65FB

原始制造厂商：ST（意法半导体）

技术标准参数：IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

点击此处查询STGWT40H65FB的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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