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您正在寻找一颗能扛起高功率转换重任的核心开关器件吗？STGWT40H65FB正是为您而来！这颗650V、80A的沟槽场截止型IGBT，集高效、强健于一身，其低至2.3V的导通压降能显著降低您的系统损耗，而高达283W的功率处理能力让您轻松应对电机驱动、不同断电源等应用的严苛需求。

它不仅仅参数亮眼，更注重实际应用中的可靠性。优化的开关能量与宽达-55°C至175°C的工作结温范围，确保您的设备在高效运行的同时，也能保持出色的热稳定性和长期耐用性。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏，让高效功率转换变得简单而自信。

• 型号:STGWT40H65FB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:283 W
• 开关能量:498mJ（导通），363mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:210 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns
• 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT40H65FB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。