我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STGWT30HP65FB现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能同时兼顾高效率、高可靠性与出色性价比的功率开关核心吗？STGWT30HP65FB正是为您而来的答案。这颗650V/60A的沟槽场截止型IGBT，能轻松驾驭工业电机驱动、变频器、不同断电源（UPS）等应用中的功率转换重任。

它凭借仅2V的低导通压降，让您大幅降低导通损耗，提升系统整体能效；其优化的开关速度与能量参数，帮助您有效控制开关损耗，实现更高频率的平滑运行。高达175°C的结温工作范围和坚固的TO-3P封装，确保您的产品在严苛环境下依然稳定耐久。选择它，就是为您的设计选择了一个高效、可靠且易于驾驭的动力之心。

• 型号:STGWT30HP65FB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3P
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:260 W
• 开关能量:293J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:149 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/146ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):140 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT30HP65FB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。