我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STGWT20IH125DF现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高电压、大电流应用的开关损耗和散热问题烦恼吗？STGWT20IH125DF正是为您破解这一难题的利器。这颗来自意法半导体的1250V/40A IGBT，采用先进的沟槽型场截止技术，能将导通压降低至仅2.5V，显著减少功率损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它不仅能轻松处理高达259W的功率，其优化的开关特性（开关能量410J）还确保了快速、干净的开关动作，有效降低电磁干扰，提升系统整体可靠性。无论是驱动工业电机、构建太阳能逆变器，还是用于电焊设备，它宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和坚固的TO-3P封装，都能让您从容应对各种严苛环境，打造出性能稳定、寿命持久的卓越产品。

• 型号:STGWT20IH125DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1250V 40A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1250 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:259 W
• 开关能量:410J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:68 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/106ns
• 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT20IH125DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。