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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，且效率出众的功率开关吗？STGWT20HP65FB正是为此而生。它集650V耐压、40A持续电流与80A脉冲电流能力于一身，凭借其沟槽型场截止技术，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高达168W的功率控制，其低至2V的饱和压降和快速的开关特性（关断时间139ns），直接提升了整机能效和功率密度。无论是应对严苛的工业环境温度，还是需要高可靠性的连续运行，它都能稳定胜任，是您打造下一代高性能功率转换设备的信心之选。

• 型号:STGWT20HP65FB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-3P
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:168 W
• 开关能量:170J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:120 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/139ns
• 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):140 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT20HP65FB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。