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这颗芯片能让您的变频器、电机驱动或UPS系统运行得更凉爽、更高效。其低至2V的饱和压降和优化的开关特性，直接提升了整体能效，让您轻松实现更紧凑的设计与更长的运行寿命。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的动力核心。

• 型号:STGWT20H65FB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:168 W
• 开关能量:77J（导通），170J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:120 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/139ns
• 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT20H65FB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。