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还在为功率转换系统的效率与体积而权衡妥协吗？让STGWF40V60DF为您带来改变。这颗来自意法半导体的600V/40A IGBT，采用先进的沟槽型场截止技术，旨在为您提供高效、可靠的开关性能。

它能轻松应对工业驱动、UPS和太阳能逆变器等应用中的高功率开关任务。其优化的低开关损耗特性（开：456J，关：411J）和高达175°C的工作结温，让您的系统设计更高效、运行更稳定，同时简化散热管理，助您快速实现高性能、高可靠性的产品设计。

• 制造商产品型号：STGWF40V60DF
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：IGBT BIPO 600V 40A TO3P
• 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• IGBT类型：沟槽型场截止
• 电压-集射极击穿（最大值）：600V
• 电流-集电极(Ic)（最大值）：40A
• 电流-集电极脉冲(Icm)：-
• 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：-
• 功率-最大值：-
• 开关能量：456J（开），411J（关）
• 输入类型：标准
• 栅极电荷：-
• 25°C时Td（开/关）值：-
• 测试条件：-
• 反向恢复时间(trr)：-
• 工作温度：175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 封装：TO-3PFM，SC-93-3
• STGWF40V60DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。