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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性与强大驱动能力的功率开关芯片吗？STGWA75H65DFB2正是为您而来。这颗基于先进沟槽型场截止技术的650V IGBT，拥有高达115A的电流处理能力，其超低的导通压降（2V @75A）和开关损耗，能显著提升您的电机驱动、光伏逆变或UPS系统的整体能效，让热量更低，运行更持久。

它集成了快速的开关特性与仅88ns的反向恢复时间，让您轻松实现更高频率的设计，从而减小系统体积与成本。宽广的-55°C至175°C工作结温范围，配合TO-247-3封装出色的散热性能，确保您的产品在各种严苛环境下都能稳定输出高达357W的功率。选择STGWA75H65DFB2，就是为您的核心电路注入一颗高效、坚韧的“动力芯”。

• 型号:STGWA75H65DFB2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 115A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:115 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A
• 功率 - 最大值:357 W
• 开关能量:1.428mJ（导通），1.05mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:207 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/100ns
• 测试条件:400V，75A，2.2 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):88 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA75H65DFB2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。