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规格参数
制造商产品型号:STGWA40S120DF3制造商:STMicroelectronics描述:IGBT 1200V 40A TO247-3L系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):1200V电流-集电极(Ic)(最大值):80A电流-集电极脉冲(Icm):160A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,40A功率-最大值:468W开关能量:1.43mJ(开),3.83mJ(关)输入类型:标准栅极电荷:129nC25°C时Td(开/关)值:35ns/148ns测试条件:600V,40A,15 欧姆,15V反向恢复时间(trr):355ns工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-247-3STGWA40S120DF3,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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