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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STGWA30HP65FB2来为您破局！这颗650V/50A的沟槽场截止IGBT，核心使命就是让您在处理高功率时更加游刃有余。其2.1V的低饱和压降能显著降低导通损耗，而快速的开关特性则有效削减了开关损耗，双管齐下，直接为您提升系统能效，减少散热设计压力。

它就像您系统里的“高效能心脏”，能够轻松胜任电机驱动、电源转换等关键任务。标准化的驱动接口让您设计更省心，TO-247的坚固封装确保了出色的热管理和长期可靠性。选择STGWA30HP65FB2，就是选择了一个让产品性能更卓越、运行更稳定的高效解决方案。

• 型号:STGWA30HP65FB2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:167 W
• 开关能量:-
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:90 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/71ns
• 测试条件:400V，30A，6.8 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):140 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA30HP65FB2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。