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您正在寻找一颗能扛起高功率密度与高效率大旗的核心开关器件吗？STGWA30H65FB正是您的理想之选。这颗650V/60A的沟槽型场截止IGBT，凭借其仅2V的低导通压降和优化的开关能量，能显著降低系统损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它具备高达260W的功率处理能力和120A的脉冲电流能力，应对浪涌游刃有余。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）确保了它在各种严苛环境下稳定工作。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠的心脏，轻松实现性能与可靠性的双重飞跃。

• 型号:STGWA30H65FB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:260 W
• 开关能量:151mJ（导通），293mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:149 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA30H65FB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。