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您正在设计需要处理高功率、同时又对效率锱铢必较的电源或驱动系统吗？STGWA30H65DFB正是为您而来的解决方案。这颗650V/60A的沟槽场截止型IGBT，凭借其低至2V的Vce(on)饱和压降，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能，直接将高效率转化为您的产品竞争力。

它不仅能轻松应对高达260W的功率挑战，其优化的开关特性（开/关能量分别为382J和293J）和快速的反向恢复时间（140ns），更能确保系统在高频开关下依然保持稳定与高效，大幅提升整体性能。从工业电机驱动到新能源逆变，选择它，就是选择了一条让设计更可靠、让能效更出众的捷径。

• 制造商产品型号：STGWA30H65DFB
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：IGBT
• 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
• 产品系列：HB
• 零件状态：有源
• IGBT类型：沟槽型场截止
• 电压-集射极击穿（最大值）：650V
• 电流-集电极(Ic)（最大值）：60A
• 电流-集电极脉冲(Icm)：120A
• 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A
• 功率-最大值：260W
• 开关能量：382J（开），293J（关）
• 输入类型：标准
• 栅极电荷：149nC
• 25°C时Td（开/关）值：46ns/146ns
• 测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间(trr)：140ns
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 封装：TO-247-3
• STGWA30H65DFB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。