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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，且效率出众的功率开关吗？STGWA25H120F2正是为您而来！这颗1200V/25A的沟槽场截止IGBT，凭借仅2.6V的低饱和压降，能显著降低您的系统导通损耗，让电能转换过程更加高效、发热更少。

它集成了快速的开关特性与高达375W的功率处理能力，让您在设计太阳能逆变器、工业电机驱动或UPS电源时，能够轻松实现更高的功率密度和系统可靠性。其坚固的TO-247-3封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保它在各种严苛环境下都能稳定运行，是您构建强劲、耐用电力电子系统的理想核心。

• 型号:STGWA25H120F2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:600J（导通），700J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:100 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns
• 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGWA25H120F2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。