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STGWA15S120DF3 零件图片(仅供参考)

STGWA15S120DF3
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STGWA15S120DF3 规格参数

您是否希望为您的功率转换系统找到一颗动力澎湃且高效节能的“核心”?STGWA15S120DF3正是为此而生。这颗来自意法半导体的1200V/15A IGBT,采用先进的沟槽型场截止技术,能够轻松处理高达259W的功率,其低至2.05V的饱和压降和优化的开关能量,能显著降低系统运行中的导通与开关损耗,直接提升您的整体能效。

它让您在设计工业驱动、UPS或太阳能逆变器时更加得心应手。宽广的-55°C至175°C工作结温范围,确保了其在恶劣环境下依然稳定可靠;而经典的TO-247封装则提供了卓越的散热性能。选择STGWA15S120DF3,就是为您的产品注入了高效、可靠与持久的动力基因。

  • 型号:STGWA15S120DF3
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-247-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,15A
  • 功率 - 最大值:259 W
  • 开关能量:540J(导通),1.38mJ(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:53 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/140ns
  • 测试条件:600V,15A,22 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):270 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商器件封装:TO-247-3
  • STGWA15S120DF3,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STGWA15S120DF3 基本参数:

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