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您正在寻找一颗能扛起中高功率应用大旗，同时兼顾高效与可靠的“心脏”吗？STGWA15H120F2正是为此而生！这颗来自意法半导体的1200V/15A IGBT，采用先进的沟槽型场截止技术，旨在为您大幅提升系统能效。它超低的Vce(sat)和开关损耗，让您的逆变器、电机驱动或电源设备运行得更凉爽、更安静，直接转化为更长的使用寿命和更低的运营成本。

它拥有高达259W的功率处理能力和175°C的结温，确保在恶劣环境下依然稳定如山。其优异的开关特性（23ns/111ns的开关延迟）让您能够轻松设计更高频率的系统，从而使用更小的磁件，实现产品的小型化和轻量化。选择STGWA15H120F2，就是为您的下一个成功设计，选择了一个强大、高效且值得信赖的动力核心。

• 型号:STGWA15H120F2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:259 W
• 开关能量:380J（导通），370J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:67 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns
• 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGWA15H120F2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。