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想象一下，一颗芯片就能让您的电源或电机驱动系统脱胎换骨，效率飙升，体积缩小。STGW60V60DF正是为此而生！它是一颗600V/80A的沟槽型场截止IGBT，能轻松驾驭高达375W的功率舞台。

它为您带来的核心价值是“高效节能”。其低至2.3V的导通压降和极低的开关能量（750J开/550J关），能显著降低系统运行中的导通损耗和开关损耗，让宝贵的电能更多地用于做功，而非变成热量。同时，快速的开关特性（60ns/208ns的开关延迟）让您能设计更高频、更紧凑的电路。

无论是工业变频、UPS还是新能源逆变，STGW60V60DF都能以卓越的稳定性和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保您的产品在各种环境下高效、可靠地持久运行。

• 型号:STGW60V60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:750J（导通），550J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:334 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/208ns
• 测试条件:400V，60A，4.7 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):74 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW60V60DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。