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您正在设计需要处理高功率、追求高效能与可靠性的电源或驱动系统吗？STGW60H65F正是为您而来的强大心脏。这颗650V/120A的沟槽型场截止IGBT，能轻松承载高达360W的功率，其优异的1.9V低饱和压降特性，直接为您大幅降低导通损耗，提升系统整体能效。

更令人印象深刻的是它的开关速度。仅65ns的开启延迟与180ns的关闭延迟，配合优化的栅极电荷，让开关过程干净利落，显著减少开关损耗与热量产生。无论是驱动电机、管理功率转换还是处理脉冲能量，它都能让您的设计运行得更冷静、更高效、更可靠。

• 型号:STGW60H65F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，60A
• 功率 - 最大值:360 W
• 开关能量:750J（导通），1.05mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:217 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/180ns
• 测试条件:400V，60A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW60H65F，ST（意法半导体）产品一站式供应商。