我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STGW50H60DF现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起高压大功率重任的核心开关吗？STGW50H60DF正是您期待的答案。这颗来自意法半导体的600V/100A IGBT，采用高效的沟槽型场截止技术，能显著降低导通损耗（Vce(on)低至1.8V），让您的电机驱动、电源或逆变器系统运行得更凉爽、更节能。

它拥有高达360W的功率处理能力和卓越的开关性能（开关能量合计约1750J），让您轻松应对频繁的开关动作，提升整体系统效率与可靠性。其坚固的TO-247封装和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保它在各种严苛环境下都能稳定工作，是您构建高性能、高耐用性功率平台的理想基石。

• 型号:STGW50H60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A
• 功率 - 最大值:360 W
• 开关能量:890J（导通），860J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:217 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:62ns/178ns
• 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):55 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW50H60DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。