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您正在设计需要处理高功率、追求极致效率的能源转换系统吗？STGW40H65DFB-4正是为您而来的解决方案。这颗650V/80A的沟槽场截止型IGBT，核心使命就是让您轻松驾驭高效电能转换。其低至2V的饱和压降能显著减少导通损耗，而优化的开关特性则能有效降低开关损耗，双管齐下，全面提升系统能效，让您的产品在能耗表现上脱颖而出。

它不仅能帮助您构建更高效的电机驱动、UPS或光伏逆变器，其坚固的TO-247-4封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C TJ），更能确保您的设备在复杂工况下长期稳定运行，大幅提升终端产品的可靠性。选择它，就是为您的核心功率链路注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:STGW40H65DFB-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-4
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:283 W
• 开关能量:200J（导通），410J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:210 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns
• 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):62 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-4
• 供应商器件封装:TO-247-4
• STGW40H65DFB-4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。