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您正在寻找一颗能扛起高功率转换重任的“心脏”吗？STGW30N120KD正是这样一款强大的IGBT，它能为您做什么？它能让您轻松驾驭高达1200V的电压和60A的电流，将强大的电能高效、可控地输送到您的电机驱动、电源或焊接设备中，是构建可靠工业动力的基石。

这颗芯片集成了意法半导体先进的PowerMESH技术，不仅拥有高达220W的功率处理能力，更通过优化的3.85V低导通压降和快速的开关特性（开启延迟仅36ns），显著降低系统的导通与开关损耗。这意味着，它能帮助您的设备运行得更高效、更凉爽，直接提升能效并延长整体使用寿命。其坚固的TO-247封装和宽达-55°C至125°C的工作结温范围，确保它在各种严苛环境下都能稳定工作，让您的设计无后顾之忧。

• 型号:STGW30N120KD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 1200V 60A TO-247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:3.85V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:220 W
• 开关能量:2.4mJ（导通），4.3mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:105 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/251ns
• 测试条件:960V，20A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):84 ns
• 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW30N120KD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。