我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STGW30M65DF2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起高效能量转换重任的核心功率开关吗？STGW30M65DF2正是这样一位“实力派”。它基于先进的沟槽型场截止IGBT技术，集650V高耐压与60A大电流能力于一身，旨在让您的电源或驱动系统运行得更冷静、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它通过极低的2V饱和压降（Vce(on)）大幅减少导通损耗，同时凭借优化的开关特性（开启能量仅300J）有效控制开关损耗，双管齐下，显著提升系统整体能效。其坚固的TO-247-3封装和高达175°C的结温工作能力，让您轻松应对高功率密度设计下的散热挑战，确保产品长期稳定可靠地运行。

• 型号:STGW30M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:258 W
• 开关能量:300J（导通），960J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:80 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):140 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW30M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。