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您正在为提升功率转换系统的效率和可靠性而寻找核心器件吗？STGW30H65FB正是为您而来的解决方案。这颗650V/30A的沟槽型场截止IGBT，能为您显著降低导通与开关损耗，其高达120A的脉冲电流承受力让您轻松应对负载突变，而宽广的工作温度范围则确保了它在各种严苛环境下的稳定表现。

它将让您的电机驱动、太阳能逆变器或UPS电源设计更加高效、紧凑且坚固。选择它，就是选择了一条通往更高性能与更可靠运行的捷径。

• 型号:STGW30H65FB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:260 W
• 开关能量:151J（导通），293J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:149 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
• STGW30H65FB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。