我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STGW15H120F2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能同时驾驭高压、大电流，又能保持高效与低温运行的功率开关吗？STGW15H120F2正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的1200V/15A IGBT，采用先进的沟槽型场截止技术，集低导通压降（仅2.6V）与快速开关特性于一身，能显著降低您系统中逆变、电机驱动等环节的功耗与发热。

它让您轻松应对高达259W的功率处理需求，其优异的开关能量表现（开380J，关370J）意味着更低的开关损耗和更高的工作频率潜力。无论是工业驱动、UPS还是新能源转换，STGW15H120F2都能以稳定的性能和TO-247的经典封装，助力您构建更紧凑、更高效、更可靠的下一代电力电子系统。

• 型号:STGW15H120F2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:259 W
• 开关能量:380J（导通），370J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:67 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns
• 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW15H120F2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。