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您是否正在寻找一颗能显著提升电源效率、同时保持强劲驱动能力的“心脏”级器件？STGP6M65DF2正是这样一款为您量身打造的高性能沟槽场截止IGBT。它集650V高耐压、12A大电流和仅2V的低导通压降于一身，旨在让您的电机驱动、太阳能逆变器或UPS系统运行得更凉爽、更高效，直接降低系统能耗与散热成本。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的开关性能。极低的开关损耗意味着它能在高频下工作自如，让您轻松实现更高功率密度的紧凑型设计。同时，其坚固的构造和宽广的工作温度范围，确保了在各种挑战性环境中都能提供稳定可靠的功率输出，大幅提升您最终产品的耐用性和市场竞争力。

• 型号:STGP6M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 12A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:12 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A
• 功率 - 最大值:88 W
• 开关能量:40J（导通），136J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:21.2 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns
• 测试条件:400V，6A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):140 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• STGP6M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。