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STGP30H60DF 零件图片(仅供参考)

STGP30H60DF
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STGP30H60DF 规格参数

还在寻找那颗能同时满足高效率、高可靠性与易用性的功率开关芯片吗?STGP30H60DF正是您期待的答案。这颗600V/60A的IGBT,采用先进的沟槽型场截止技术,能为您大幅降低导通损耗,其低至2.4V的饱和压降,让电能转换更加高效,直接帮助您的设备节省能源,减少发热。

它能让您轻松应对频繁开关的挑战,快速的开关速度(典型开关时间仅数十纳秒)和低栅极电荷(105nC),确保了系统响应迅捷,同时降低了驱动电路的复杂度。无论是驱动电机、构建逆变器还是用于功率因数校正,它高达260W的功率处理能力和宽达-40°C至175°C的工作结温,都为您提供了坚实的性能基础和设计裕度,让您的产品在各种严苛环境下都能稳定运行,赢得市场信赖。

  • 型号:STGP30H60DF
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-220
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,30A
  • 功率 - 最大值:260 W
  • 开关能量:350J(导通),400J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:105 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:50ns/160ns
  • 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):110 ns
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
  • STGP30H60DF,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STGP30H60DF 基本参数:

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