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您是否希望为您的功率转换系统找到一颗既能扛住高压大电流，又能保持冷静高效的心脏？STGP20M65DF2正是为此而来。这颗650V/40A的沟槽场截止IGBT，凭借仅2V的低导通压降和优化的开关特性（140J开启，560J关断），能显著降低您的系统导通与开关损耗，让您的电机驱动、光伏逆变器或UPS电源运行得更凉爽、更节能。

它内置快速恢复二极管，有效管理反向恢复过程，进一步提升效率。高达175°C的结温能力和经典的TO-220封装，让您能轻松应对高温环境并简化散热设计。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠与持久的动力基因。

• 型号:STGP20M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:166 W
• 开关能量:140J（导通），560J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:63 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/108ns
• 测试条件:400V，20A，12 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):166 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• STGP20M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。