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您正在寻找一颗能在高压环境下兼顾效率与速度的功率开关吗？STGF3NC120HD正是您的理想之选。这颗1200V/6A的IGBT，采用先进的PowerMESH技术，能为您带来低至2.8V的导通压降和超低的开关损耗，显著提升系统能效，同时其快速的开关特性让您轻松实现更高频率的设计。

它集成了出色的电气性能与TO-220FP封装的坚固性，工作结温高达150°C，确保在变频器、UPS、充电桩等应用中稳定可靠。选择它，意味着您选择了一个经过优化的高效解决方案，让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STGF3NC120HD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 1200V 6A TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:6 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，3A
• 功率 - 最大值:25 W
• 开关能量:236J（导通），290J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:24 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/118ns
• 测试条件:800V，3A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):51 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 供应商器件封装:TO-220FP
• STGF3NC120HD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。