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您正在寻找一颗能同时兼顾高效、坚固与易用的功率开关芯片吗？STGF20H65DFB2正是为您而来。这颗来自意法半导体的650V/40A沟槽场截止型IGBT，凭借仅2.1V的低导通压降和优异的开关速度，能显著降低您系统的开关与传导损耗，直接提升整机能效，让您的产品在能耗表现上脱颖而出。

它内置快速反并联二极管，简化您的外围电路设计。宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）和经典的TO-220封装，让您能轻松应对工业驱动、变频家电、UPS电源等多种严苛应用场景的挑战，确保长期运行的稳定可靠。选择STGF20H65DFB2，就是选择了一份让设计更高效、让产品更具竞争力的强大助力。

• 型号:STGF20H65DFB2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:45 W
• 开关能量:265J（导通），214J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:56 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns
• 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):215 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 供应商器件封装:TO-220FP
• STGF20H65DFB2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。