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零件图片（仅供参考）
STGF20H65DFB2
规格参数
  • 制造商产品型号：STGF20H65DFB2
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：HB2
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：40A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：60A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，20A
  • 功率-最大值：45W
  • 开关能量：265J（开），214J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：56nC
  • 25°C时Td（开/关）值：16ns/78.8ns
  • 测试条件：400V，20A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：215ns
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-220-3 整包
  • STGF20H65DFB2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：STGF20H65DFB2
  • 原始制造厂商：ST（意法半导体）
  • 技术标准参数：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
  • 产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询STGF20H65DFB2的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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