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还在为如何提升中小功率系统的能源效率而烦恼吗？让STGF12NB60KD来为您分忧！这颗600V/14A的IGBT芯片，集成了意法半导体先进的PowerMESH技术，旨在让您的电源转换和电机控制应用运行得更冷静、更高效。

它凭借仅2.8V的低导通压降，显著降低了导通损耗，直接帮助您提升系统能效，减少散热设计压力。同时，优化的开关特性（开关能量开152J，关258J）与快速的恢复时间，确保了在高频开关应用中依然能保持低损耗与高可靠性，让您轻松应对变频驱动、UPS、电焊机等领域的挑战。

• 制造商产品型号：STGF12NB60KD
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：IGBT 600V 14A 30W TO220FP
• 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
• 产品系列：PowerMESH
• 零件状态：停产
• IGBT类型：-
• 电压-集射极击穿（最大值）：600V
• 电流-集电极(Ic)（最大值）：14A
• 电流-集电极脉冲(Icm)：60A
• 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，12A
• 功率-最大值：30W
• 开关能量：152J（开），258J（关）
• 输入类型：标准
• 栅极电荷：54nC
• 25°C时Td（开/关）值：25ns/96ns
• 测试条件：480V，12A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间(trr)：37ns
• 工作温度：-
• 安装类型：通孔
• 封装：TO-220-3 整包
• STGF12NB60KD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。