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您正在寻找一颗能同时兼顾高效、坚固与易用的中功率开关器件吗？STGF10M65DF2正是您的理想之选。这颗650V/20A的沟槽型场截止IGBT，凭借其低至2V的导通压降和优化的开关特性，能显著降低您系统的导通与开关损耗，直接提升整体能效，让您的产品运行更凉爽、更持久。

它集成了多项优势：高达40A的脉冲电流能力应对浪游刃有余；快速的开关速度帮助您轻松优化EMI设计；宽广的-55°C至175°C结温范围确保在各种严苛环境下稳定工作。无论是驱动电机、转换能源，还是处理功率，STGF10M65DF2都能让您的设计事半功倍，高效实现性能目标。

• 型号:STGF10M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A
• 功率 - 最大值:30 W
• 开关能量:120J（导通），270J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:28 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/91ns
• 测试条件:400V，10A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):96 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 供应商器件封装:TO-220FP
• STGF10M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。